Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Saír
Galego
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Inicio > Novas > Samsung aplica a tecnoloxía EUV para a produción de DRAM por primeira vez

Samsung aplica a tecnoloxía EUV para a produción de DRAM por primeira vez

Segundo ZDnet, Samsung anunciou que aplicou con éxito a tecnoloxía EUV á produción de DRAM.

Samsung enviou 1 millón de módulos DRAM 10nm DDR4 fabricados mediante o proceso EUV, e foi avaliado polos clientes. Samsung dixo que a conclusión da avaliación abrirá o camiño para a produción en masa de novos DRAMs o próximo ano.

A liña de produción EUV de Samsung só na planta de Pyeongtaek comezará a producir módulos DRAM na segunda metade do ano. Está previsto que a liña de produción produza a 4ª xeración 10nm DDR5 e LPDDR5.

Este é outro chip producido pola planta de Pyeongtaek, ademais dos chips lóxicos de 7 nm, empregando a tecnoloxía EUV. Samsung afirma que a tecnoloxía EUV duplicará a eficiencia de produción dunha única oblea de 12 polgadas.

Os fabricantes mundiais de semiconductores como Samsung, Intel e TSMC deberían ampliar o uso da tecnoloxía EUV na produción de chip. Samsung afirmou anteriormente que planea empregar a tecnoloxía EUV para producir chips 3nm.